STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 69 A 710 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 791-7970
- Producentens varenummer:
- STW78N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 463,61
(ekskl. moms)
Kr. 579,51
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 92,722 | Kr. 463,61 |
| 10 - 20 | Kr. 91,57 | Kr. 457,85 |
| 25 + | Kr. 90,464 | Kr. 452,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-7970
- Producentens varenummer:
- STW78N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 69A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 710V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 32mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 450W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 203nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 69A | ||
Drain source spænding maks. Vds 710V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 32mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 450W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 203nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 69 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 28 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 42 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 84 A 710 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 69 A 650 V Forbedring TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 130 A 710 V Forbedring MDmesh M5