STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DeepGate, STripFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 791-9308P
- Producentens varenummer:
- STD80N4F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 500 flere for at gemme Kr. 655,50
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 666,50
(ekskl. moms)
Kr. 833,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 490 | Kr. 6,665 | - |
| 500 - 990 | Kr. 5,354 | Kr. 655,50 |
| 1000 - 2490 | Kr. 5,289 | Kr. 1.376,00 |
| 2500 + | Kr. 5,226 | Kr. 3.597,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-9308P
- Producentens varenummer:
- STD80N4F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 70W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 70W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bredde 6.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .