STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 1,4 A 1050 V, 3 ben, TO-3PF, MDmesh K3, SuperMESH3 STFW1N105K3
- RS-varenummer:
- 791-9336P
- Producentens varenummer:
- STFW1N105K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 25 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 468,15
(ekskl. moms)
Kr. 585,20
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 45 | Kr. 18,726 |
| 50 - 245 | Kr. 17,056 |
| 250 - 495 | Kr. 15,418 |
| 500 + | Kr. 15,112 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 791-9336P
- Producentens varenummer:
- STFW1N105K3
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 1,4 A | |
| Drain source spænding maks. | 1050 V | |
| Kapslingstype | TO-3PF | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 11 Ω | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 20 B | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Bredde | 5.7mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 13 nC ved 10 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 15.7mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 26.7mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 1,4 A | ||
Drain source spænding maks. 1050 V | ||
Kapslingstype TO-3PF | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 11 Ω | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 20 B | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Bredde 5.7mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 13 nC ved 10 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 15.7mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 26.7mm | ||
N-kanal MDmesh™ K3 serien, SuperMESH3™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics