Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 150 mA 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS123 Nej BSS123,215
- RS-varenummer:
- 792-0885
- Producentens varenummer:
- BSS123,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 100 enheder)*
Kr. 48,50
(ekskl. moms)
Kr. 60,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 19.600 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 0,485 | Kr. 48,50 |
| 200 - 400 | Kr. 0,373 | Kr. 37,30 |
| 500 - 900 | Kr. 0,291 | Kr. 29,10 |
| 1000 - 1900 | Kr. 0,277 | Kr. 27,70 |
| 2000 + | Kr. 0,261 | Kr. 26,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-0885
- Producentens varenummer:
- BSS123,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS123 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS123 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V og højere, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 150 mA 100 V Forbedring SOT-23, BSS123 Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23, BSS123 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23, BSS123 AEC-Q101 BSS123TA
- DiodesZetex Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q100 AEC-Q200
- onsemi Type N-Kanal 170 mA 100 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q200 BSS123
- Nexperia Type N-Kanal 270 mA 60 V Forbedring SOT-23 Nej
- Nexperia Type N-Kanal 270 mA 60 V Forbedring SOT-23 Nej NX7002BKR
- Nexperia Type N-Kanal 850 mA 30 V Forbedring SOT-23, BSH103 Nej
