STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 11 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB13N60M2

RS-varenummer:: 792-5694P
Producentens varenummer:: STB13N60M2
Brand:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 11 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB13N60M2

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres på en Strip) Antal under 150 stk. på sammenhængende bånd

Kr. 15,618

(ekskl. moms)

Kr. 19,522

(inkl. moms)

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 18-04-2025*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.
25 - 45	Kr. 14,84
50 - 120	Kr. 13,36
125 - 245	Kr. 12,028
250 +	Kr. 11,414

RS-varenummer:: 792-5694P
Producentens varenummer:: STB13N60M2
Brand:: STMicroelectronics

STB13N60M2, STD13N60M2, N-Channel 600V, 0.35 Ohm typ., 11A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFETs in D2PAK and DPAK packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	11 A
Drain source spænding maks.	650 V
Kapslingstype	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M2
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	380 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	110 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-25 V, +25 V
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	17 nC ved 10 V
Længde	10.4mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	9.35mm
Transistormateriale	Si
Højde	4.6mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 11 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB13N60M2

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics