STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), STripFET H7 STB100N10F7

RS-varenummer:: 792-5697P
Producentens varenummer:: STB100N10F7
Brand:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), STripFET H7 STB100N10F7

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres på en Strip) Antal under 150 stk. på sammenhængende bånd

Kr. 19,434

(ekskl. moms)

Kr. 24,292

(inkl. moms)

Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 30-05-2025*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.
25 - 45	Kr. 18,46
50 - 120	Kr. 16,606
125 - 245	Kr. 14,96
250 +	Kr. 14,198

RS-varenummer:: 792-5697P
Producentens varenummer:: STB100N10F7
Brand:: STMicroelectronics

STD100N10F7, STF100N10F7, STP100N10F7, N-Channel 100V, 0.0068 Ohm typ., 80A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	80 A
Drain source spænding maks.	100 V
Kapslingstype	D2PAK (TO-263)
Serie	STripFET H7
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	8 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4.5V
Mindste tærskelspænding for port	2.5V
Effektafsættelse maks.	150 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Længde	10.4mm
Bredde	9.35mm
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk	61 nC ved 10 V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	4.6mm

STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), STripFET H7 STB100N10F7

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics