STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M2

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 623,10

(ekskl. moms)

Kr. 778,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 245Kr. 12,462
250 - 495Kr. 12,168
500 +Kr. 11,388

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
792-5707P
Producentens varenummer:
STB18N60M2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-263

Serie

MDmesh M2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

280mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.6mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics


Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.