STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- RS-varenummer:
- 792-5892
- Producentens varenummer:
- STL30N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 24,11
(ekskl. moms)
Kr. 30,14
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 11. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,822 | Kr. 24,11 |
| 50 - 120 | Kr. 4,706 | Kr. 23,53 |
| 125 - 495 | Kr. 4,596 | Kr. 22,98 |
| 500 + | Kr. 4,296 | Kr. 21,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-5892
- Producentens varenummer:
- STL30N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.35mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STripFET H7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.35mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .