STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 15 A 710 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 792-5899
- Producentens varenummer:
- STL18N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 40,34
(ekskl. moms)
Kr. 50,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.846 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 20,17 | Kr. 40,34 |
| 20 - 98 | Kr. 17,75 | Kr. 35,50 |
| 100 - 198 | Kr. 15,855 | Kr. 31,71 |
| 200 + | Kr. 13,615 | Kr. 27,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 792-5899
- Producentens varenummer:
- STL18N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 240mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Portkildespænding maks. | -25V, +25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.35mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 240mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Portkildespænding maks. -25V, +25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.35mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 15 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 710 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 22 A 600 V Forbedring PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 130 A 710 V Forbedring Maks. 247, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 58 A 710 V Forbedring TO-3PF, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A 710 V Forbedring TO-220, MDmesh M5