onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 Nej NTR5198NLT1G
- RS-varenummer:
- 796-1381
- Producentens varenummer:
- NTR5198NLT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 36,95
(ekskl. moms)
Kr. 46,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 75 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 1,478 | Kr. 36,95 |
| 100 - 225 | Kr. 1,274 | Kr. 31,85 |
| 250 - 475 | Kr. 1,107 | Kr. 27,68 |
| 500 - 975 | Kr. 0,972 | Kr. 24,30 |
| 1000 + | Kr. 0,883 | Kr. 22,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 796-1381
- Producentens varenummer:
- NTR5198NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 155mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.01mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 155mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.01mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 2.2 A 60 V Forbedring SOT-23 Nej
- onsemi Type N-Kanal 2.2 A 60 V Forbedring SOT-23, NVR5198NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 2.2 A 60 V Forbedring SOT-23, NVR5198NL AEC-Q101 NVR5198NLT1G
- onsemi Type N-Kanal 2.2 A 30 V Forbedring SOT-23, FDN337N Nej
- onsemi Type N-Kanal 2.2 A 30 V Forbedring SOT-23, FDN337N Nej FDN337N
- onsemi Type N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SOT-23, NDS7002A Nej
- onsemi Type N-Kanal 500 mA 60 V Forbedring SOT-23, MMBF170L Nej
- onsemi Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002KW Nej
