Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 207 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TK Nej TK100E10N1
- RS-varenummer:
- 796-5070
- Producentens varenummer:
- TK100E10N1
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 32,01
(ekskl. moms)
Kr. 40,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 182 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 327 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 32,01 |
| 25 - 99 | Kr. 30,22 |
| 100 - 349 | Kr. 28,87 |
| 350 - 499 | Kr. 25,73 |
| 500 + | Kr. 23,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 796-5070
- Producentens varenummer:
- TK100E10N1
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 207A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 255W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.1mm | |
| Længde | 10.16mm | |
| Bredde | 4.45 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 207A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 255W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.1mm | ||
Længde 10.16mm | ||
Bredde 4.45 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 207 A 100 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 207 A 100 V Forbedring TO-220S4X(S
- Toshiba Type N-Kanal 55 A 80 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 214 A 80 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 105 A 60 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 55 A 80 V Forbedring TO-220, TK Nej TK35E08N1
- Toshiba Type N-Kanal 214 A 80 V Forbedring TO-220, TK Nej TK100E08N1