Vores services
Industry hub
Tilbud og rabatter
Pakkesporing
Log ind / Registrér
Log ind
/
Tilmeld dig
for at få adgang til dine fordele
Menu
Varenummer
Seneste søgninger
Afbrydere og omskiftere
Afbrydermateriel og sikringer
Automation og styring
Belysning
Kabinetter og serverracks
Kabler og ledninger
Relæer og signalbehandling
Varme, ventilation, blæsere og varmehåndtering
Batterier og opladere
Displays og optoelektronik
ESD-sikring, renrum og printfremstilling - PCB
Halvledere
Passive komponenter
Raspberry Pi, Arduino, ROCK og udviklingsværktøj
Stik, klemmer og terminaler
Strømforsyninger og transformere
Befæstelseselementer
Håndværktøj
Konstruktionsmaterialer og industriel hardware
Lagerinventar og materialehåndtering
Lejer og tætninger
Lim, tætningsmidler og tape
Mekanisk transmission
Pneumatik og hydraulik
Power tools, lodning og svejsning
VVS og rørledning
Computere og enheder
Kontorforsyning
Personlige værnemidler & Arbejdstøj
Rengøring og vedligeholdelse
Sikkerhed og isenkram
Sikkerhed på arbejdspladsen
Test- og måleudstyr
/
Halvledere
/
Diskrete halvledere
/
MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 5,1 A 40 V, 8 ben, SOP, TPC TPC8227-H,LQ(S
RS-varenummer:
796-5128P
Producentens varenummer:
TPC8227-H,LQ(S
Brand:
Toshiba
Se alle MOSFET
Dette produkt er udgået
RS-varenummer:
796-5128P
Producentens varenummer:
TPC8227-H,LQ(S
Brand:
Toshiba
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Egenskaber
TPC8227-H, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVI-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS-Deklaration
Statement of conformity
Dobbelt MOSFET N-kanal, TPC-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Attribute
Value
Kanaltype
N
Drain-strøm kontinuerlig maks.
5,1 A
Drain source spænding maks.
40 V
Kapslingstype
SOP
Serie
TPC
Monteringstype
Overflademontering
Benantal
8
Drain source modstand maks.
40 mΩ
Kanalform
Enhancement
Maks. tærskelspænding for port
2.3V
Effektafsættelse maks.
1,5 W
Transistorkonfiguration
Isoleret
Gate source spænding maks.
-20 V, +20 V
Driftstemperatur maks.
+150 °C
Længde
4.9mm
Gate-ladning ved Vgs typisk
10 nC ved 10 V
Antal elementer per chip
2
Bredde
3.9mm
Transistormateriale
Si
Højde
1.52mm