Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SOT-669
- RS-varenummer:
- 798-2937
- Producentens varenummer:
- PSMN2R6-40YS,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 80,86
(ekskl. moms)
Kr. 101,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.955 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | Kr. 16,172 | Kr. 80,86 |
| 15 - 70 | Kr. 14,78 | Kr. 73,90 |
| 75 - 370 | Kr. 14,376 | Kr. 71,88 |
| 375 - 745 | Kr. 14,018 | Kr. 70,09 |
| 750 + | Kr. 13,658 | Kr. 68,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 798-2937
- Producentens varenummer:
- PSMN2R6-40YS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-669 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 131W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-669 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 131W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 40 V til 55 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 46 A 40 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 91 A 30 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 44 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 76 A 30 V Forbedring SOT-669