Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263
- RS-varenummer:
- 798-2987
- Producentens varenummer:
- PSMN4R6-60BS,118
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 79,512
(ekskl. moms)
Kr. 99,392
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 468 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 19,878 | Kr. 79,51 |
| 20 - 76 | Kr. 17,465 | Kr. 69,86 |
| 80 - 196 | Kr. 15,335 | Kr. 61,34 |
| 200 - 396 | Kr. 14,268 | Kr. 57,07 |
| 400 + | Kr. 13,82 | Kr. 55,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 798-2987
- Producentens varenummer:
- PSMN4R6-60BS,118
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 211W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 211W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-kanal MOSFET, 60 V til 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-263
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-263
- Nexperia Enkelt Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-263
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 30 V Forbedring TO-263, PSMN3R4-30BLE
- Nexperia Type N-Kanal 67 A 1200 V Forbedring TO-263, NSF030120D7A0
- Nexperia Type N-Kanal 38.27 A 1200 V Forbedring TO-263, NSF060120D7A0
- Nexperia Type N-Kanal 120 A 30 V Forbedring TO-263, PSM