Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 38.27 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NSF060120D7A0

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 130,02

(ekskl. moms)

Kr. 162,52

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 778 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 130,02
10 - 99Kr. 117,02
100 +Kr. 107,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
219-446
Producentens varenummer:
NSF060120D7A0J
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38.27A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

NSF060120D7A0

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

60mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

167W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

57nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

COO (Country of Origin):
CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i en kompakt 7-pin TO-263 plastpakke til overflademontering på printkort. Dens fremragende RDS(on)-temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den ideel til industrielle applikationer med høj effekt og høj spænding, herunder infrastruktur til opladning af elbiler, solcelleinvertere og motordrev.

Hurtig omvendt gendannelse

Hurtig skiftehastighed

Temperaturuafhængige tab ved slukning

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links