Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 38.27 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NSF060120D7A0
- RS-varenummer:
- 219-446
- Producentens varenummer:
- NSF060120D7A0J
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 162,53
(ekskl. moms)
Kr. 203,16
(inkl. moms)
Tilføj 4 bånd for at opnå gratis levering
På lager
- 778 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 162,53 |
| 10 - 99 | Kr. 146,27 |
| 100 + | Kr. 134,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-446
- Producentens varenummer:
- NSF060120D7A0J
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38.27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NSF060120D7A0 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 57nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38.27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NSF060120D7A0 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 57nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Nexperia SiC Power MOSFET leveres i en kompakt 7-pin TO-263 plastpakke til overflademontering på printkort. Dens fremragende RDS(on)-temperaturstabilitet og hurtige skiftehastighed gør den ideel til industrielle applikationer med høj effekt og høj spænding, herunder infrastruktur til opladning af elbiler, solcelleinvertere og motordrev.
Hurtig omvendt gendannelse
Hurtig skiftehastighed
Temperaturuafhængige tab ved slukning
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 67 A 1200 V Forbedring TO-263, NSF030120D7A0
- ROHM Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring TO-263
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NVB
- ROHM Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263, SCT
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB