onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NVB
- RS-varenummer:
- 202-5730
- Producentens varenummer:
- NVBG040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 202-5730
- Producentens varenummer:
- NVBG040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NVB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 178W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.7mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NVB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 178W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.7mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.
AEC Q101 kvalificeret
Produktionsvarens godkendelsesproces
100 % avalanche-testet
Lav effektiv udgangskapacitet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NVB
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 19.5 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 98 A 1200 V D2PAK (TO-263) NVBG020N120SC1
- ROHM Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring TO-263