onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NVB Nej NVBG040N120SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 273,89

(ekskl. moms)

Kr. 342,362

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 652 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 136,945Kr. 273,89
20 - 198Kr. 118,045Kr. 236,09
200 +Kr. 102,30Kr. 204,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5731
Producentens varenummer:
NVBG040N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NVB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

106nC

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

178W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Længde

10.2mm

Højde

15.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.

AEC Q101 kvalificeret

Produktionsvarens godkendelsesproces

100 % avalanche-testet

Lav effektiv udgangskapacitet

Relaterede links