onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NVB Nej NVBG040N120SC1
- RS-varenummer:
- 202-5731
- Producentens varenummer:
- NVBG040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 273,89
(ekskl. moms)
Kr. 342,362
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 652 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 136,945 | Kr. 273,89 |
| 20 - 198 | Kr. 118,045 | Kr. 236,09 |
| 200 + | Kr. 102,30 | Kr. 204,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5731
- Producentens varenummer:
- NVBG040N120SC1
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NVB | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 56mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 178W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 15.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NVB | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 56mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 178W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 15.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L
ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.
AEC Q101 kvalificeret
Produktionsvarens godkendelsesproces
100 % avalanche-testet
Lav effektiv udgangskapacitet
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NVB Nej
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB Nej
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB Nej NTBG040N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB Nej
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB Nej NTBG080N120SC1
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101 NTBG022N120M3S
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB AEC-Q101 NTBG025N065SC1
