onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NVB Nej NVBG040N120SC1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 273,89

(ekskl. moms)

Kr. 342,362

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 652 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 136,945Kr. 273,89
20 - 198Kr. 118,045Kr. 236,09
200 +Kr. 102,30Kr. 204,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5731
Producentens varenummer:
NVBG040N120SC1
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

NVB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

106nC

Portkildespænding maks.

25 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

178W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Længde

10.2mm

Højde

15.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L siliciumkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L


ON Semiconductor siliciumkarbid Power MOSFET kører med 60 ampere og 1200 volt. Den kan bruges i biler med indbygget oplader, DC- eller DC-konverter.

AEC Q101 kvalificeret

Produktionsvarens godkendelsesproces

100 % avalanche-testet

Lav effektiv udgangskapacitet

Relaterede links