IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247 Nej IXFH50N60P3

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 85,83

(ekskl. moms)

Kr. 107,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 6 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 7 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 85,83

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
802-4388
Producentens varenummer:
IXFH50N60P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

145mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

94nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.04kW

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

16.26mm

Højde

21.46mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien


IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.

Hurtig, egensikker ensretterdiode

Lav RDS (til) og QG (portopladning)

Lav egensikker portmodstand

Huse i industristandard

Lav pakkeselvinduktion

Høj effekttæthed

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links