IXYS N-Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3

Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 110,03

(ekskl. moms)

Kr. 137,538

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 158 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
2 +Kr. 55,015

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
802-4458P
Producentens varenummer:
IXFQ26N50P3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

TO-3P

Serie

HiperFET, Polar3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

240mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

20.3mm

Længde

15.8mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.9mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ serien


Et udvalg af IXYS Polar3™ seriens N-kanal effekt-MOSFET'er med hurtig egensikker diode (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.