IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 82 A 500 V Forbedring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- RS-varenummer:
- 804-7565
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-357
- Producentens varenummer:
- IXFN100N50Q3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 enhed)*
Kr. 277,66
(ekskl. moms)
Kr. 347,08
(inkl. moms)
Tilføj 2 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 277,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 804-7565
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-357
- Producentens varenummer:
- IXFN100N50Q3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 82A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Emballagetype | SOT-227 | |
| Monteringstype | Panelkabinet | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 49mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 960W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 255nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 38.23mm | |
| Højde | 9.6mm | |
| Bredde | 25.07 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 82A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Emballagetype SOT-227 | ||
Monteringstype Panelkabinet | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 49mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 960W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 255nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 38.23mm | ||
Højde 9.6mm | ||
Bredde 25.07 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 serien
IXYS Q3-klassen af HiperFET™ effekt-MOSFET'er er velegnet til både hårde tilkoblings- og resonans-mode-anvendelser og giver lave portopladning med uovertruffen holdbarhed. Enhederne har en fast, egensikker diode og findes i en række branchestandardpakker, inklusive isolerede typer, med effekter på op til 1100 V og 70 A. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, batteriopladere, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, temperatur- og lysstyring.
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav RDS (til) og QG (portopladning)
Lav egensikker portmodstand
Huse i industristandard
Lav pakkeselvinduktion
Høj effekttæthed
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 82 A 500 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 66 A 500 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 61 A 500 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 63 A 500 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 46 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear
- IXYS Type N-Kanal 62 A 500 V Forbedring SOT-227, Linear
- IXYS Type N-Kanal 53 A 800 V Forbedring SOT-227
- IXYS Type N-Kanal 86 A 300 V Forbedring SOT-227