onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, UniFET Nej FDPF39N20
- RS-varenummer:
- 806-3614
- Producentens varenummer:
- FDPF39N20
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 80,86
(ekskl. moms)
Kr. 101,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 545 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 16,172 | Kr. 80,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 806-3614
- Producentens varenummer:
- FDPF39N20
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 39A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | UniFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 66mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.9 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 16.07mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 39A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie UniFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 66mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.9 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 16.07mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.
UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 39 A 200 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 61 A 200 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 61 A 200 V Forbedring TO-220, UniFET Nej FDP61N20
- onsemi Type N-Kanal 18 A 500 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 51 A 250 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 15 A 650 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
- onsemi Type N-Kanal 22 A 500 V Forbedring TO-220, UniFET Nej
