onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 4.7 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 86,92

(ekskl. moms)

Kr. 108,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.885 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 17,384Kr. 86,92
10 - 95Kr. 14,018Kr. 70,09
100 - 245Kr. 11,43Kr. 57,15
250 - 495Kr. 11,10Kr. 55,50
500 +Kr. 9,424Kr. 47,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
806-3630
Producentens varenummer:
FDS3890
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.7A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

82mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.74V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Længde

4.9mm

Bredde

3.9 mm

Højde

1.575mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


På semis er PowerTrench® MOSFETS optimeret strømafbryder, der giver øget systemeffektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille portladning, lille reverse recovery og en blød reverse recovery kropsdiode for at bidrage til hurtig skift af synkron rektifikation i AC/DC strømforsyninger.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links