onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej FDS9934C

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 13,86

(ekskl. moms)

Kr. 17,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 70 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 2.190 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 +Kr. 1,386Kr. 13,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
806-3680
Producentens varenummer:
FDS9934C
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOIC

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

90mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.2nC

Gennemgangsspænding Vf

0.73V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

12 V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

4.9mm

Højde

1.575mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.9 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® Dual N/P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i den tidligere generation.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links