onsemi P-Kanal, MOSFET, 6,1 A 60 V, 3 ben, TO-220F, QFET FQPF11P06
- RS-varenummer:
- 807-5885
- Producentens varenummer:
- FQPF11P06
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 807-5885
- Producentens varenummer:
- FQPF11P06
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 6,1 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Serie | QFET | |
| Kapslingstype | TO-220F | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 175 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 30 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -25 V, +25 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 13 nC ved 10 V | |
| Længde | 10.36mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Højde | 16.07mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 6,1 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Serie QFET | ||
Kapslingstype TO-220F | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 175 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 30 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -25 V, +25 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 13 nC ved 10 V | ||
Længde 10.36mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 4.9mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Højde 16.07mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
QFET® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 30 A 60 V TO-220F, QFET FQPF47P06
- onsemi P-Kanal 19 A 60 V TO-220F, QFET FQPF27P06
- onsemi P-Kanal 3 3 ben QFET FQPF5P20
- onsemi P-Kanal 5 3 ben QFET FQPF7P20
- onsemi P-Kanal 3 3 ben QFET FQPF9P25
- onsemi N-Kanal 53 A 60 V TO-220F, QFET FQPF85N06
- onsemi N-Kanal 10 A 60 V TO-220F, QFET FQPF13N06L
- onsemi N-Kanal 22 A 60 V TO-220F, QFET FQPF30N06L
