onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench Nej FDD5353
- RS-varenummer:
- 809-0896
- Producentens varenummer:
- FDD5353
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 63,36
(ekskl. moms)
Kr. 79,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,672 | Kr. 63,36 |
| 50 - 95 | Kr. 10,936 | Kr. 54,68 |
| 100 - 495 | Kr. 9,484 | Kr. 47,42 |
| 500 - 995 | Kr. 8,332 | Kr. 41,66 |
| 1000 + | Kr. 7,57 | Kr. 37,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 809-0896
- Producentens varenummer:
- FDD5353
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, 10 A til 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 11 3 ben PowerTrench FDD5353
- onsemi P-Kanal 15 A 60 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD5614P
- onsemi N-Kanal 50 A 3 ben PowerTrench FDD86540
- onsemi N-Kanal 160 A 30 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD8870
- onsemi P-Kanal 6 3 ben PowerTrench FDD306P
- onsemi N-Kanal 58 A 30 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD8880
- onsemi N-Kanal 145 A 40 V DPAK (TO-252), PowerTrench FDD8444
- onsemi P-Kanal 8 3 ben PowerTrench FDD4685
