STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 38 A 60 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), STripFET STB45NF06T4
- RS-varenummer:
- 809-1568P
- Producentens varenummer:
- STB45NF06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 355,00
(ekskl. moms)
Kr. 444,00
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 190 | Kr. 3,55 |
| 200 + | Kr. 3,445 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 809-1568P
- Producentens varenummer:
- STB45NF06T4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 38 A | |
| Drain source spænding maks. | 60 V | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 28 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 80 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 43 nC ved 10 V | |
| Længde | 10.4mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Serie | STripFET | |
| Højde | 4.6mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 38 A | ||
Drain source spænding maks. 60 V | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 28 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 80 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 43 nC ved 10 V | ||
Længde 10.4mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Bredde 9.35mm | ||
Serie STripFET | ||
Højde 4.6mm | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics