STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- RS-varenummer:
- 810-7499
- Producentens varenummer:
- STB30NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 92,45
(ekskl. moms)
Kr. 115,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 18,49 | Kr. 92,45 |
| 25 - 45 | Kr. 17,578 | Kr. 87,89 |
| 50 - 120 | Kr. 15,798 | Kr. 78,99 |
| 125 - 245 | Kr. 14,212 | Kr. 71,06 |
| 250 + | Kr. 13,524 | Kr. 67,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 810-7499
- Producentens varenummer:
- STB30NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 75 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 60 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-263, STripFET II