Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 9.9 A 50 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IRFR Nej IRFR9020TRPBF
- RS-varenummer:
- 812-0641
- Producentens varenummer:
- IRFR9020TRPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 102,63
(ekskl. moms)
Kr. 128,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,263 | Kr. 102,63 |
| 100 - 240 | Kr. 9,642 | Kr. 96,42 |
| 250 - 490 | Kr. 9,238 | Kr. 92,38 |
| 500 - 990 | Kr. 8,221 | Kr. 82,21 |
| 1000 + | Kr. 7,704 | Kr. 77,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-0641
- Producentens varenummer:
- IRFR9020TRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IRFR | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 280mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -6.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IRFR | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 280mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.4nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gennemgangsspænding Vf -6.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 9 3 ben, DPAK (TO-252) IRFR9020TRPBF
- DiodesZetex P-Kanal 9 3 ben, DPAK (TO-252) ZXMP4A16KTC
- Vishay P-Kanal 5 DPAK (TO-252) IRFR9010TRPBF
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252) IPD50P04P413ATMA2
- Vishay P-Kanal 50 A 60 V DPAK (TO-252), TrenchFET SQD50P06-15L_GE3
- Vishay P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252) SUD50P04-08-GE3
- Vishay P-Kanal 19 A 55 V, DPAK (TO-252) IRF9Z34SPBF
