Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2304DDS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 500 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 805,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.005,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
500 - 1200Kr. 1,61
1250 - 2450Kr. 1,264
2500 - 4950Kr. 1,149
5000 +Kr. 1,034

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3117P
Producentens varenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

Si2304DDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Højde

1.02mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.