Vishay N-Kanal, MOSFET, 4 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- RS-varenummer:
- 813-0708
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-635
- Producentens varenummer:
- IRFI620GPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 83,93
(ekskl. moms)
Kr. 104,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 16,786 | Kr. 83,93 |
| 50 - 120 | Kr. 14,242 | Kr. 71,21 |
| 125 - 245 | Kr. 13,434 | Kr. 67,17 |
| 250 - 495 | Kr. 12,566 | Kr. 62,83 |
| 500 + | Kr. 10,89 | Kr. 54,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 813-0708
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-36-635
- Producentens varenummer:
- IRFI620GPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IRFI | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -10V, +10V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.3mm | |
| Højde | 29.27mm | |
| Bredde | 4.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IRFI | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -10V, +10V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.3mm | ||
Højde 29.27mm | ||
Bredde 4.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 4 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay N-Kanal 9.8 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay N-Kanal 5.9 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay N-Kanal 5.4 A 400 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay N-Kanal 14 A 60 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type P-Kanal 1.9 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type P-Kanal 2 A 200 V Forbedring TO-220, IRFI
- Vishay Type P-Kanal 6 A 60 V Forbedring TO-220, IRFI