Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6.8 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF9640S
- RS-varenummer:
- 815-2676
- Producentens varenummer:
- IRF9640STRRPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 157,26
(ekskl. moms)
Kr. 196,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 790 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 15,726 | Kr. 157,26 |
| 20 - 40 | Kr. 12,896 | Kr. 128,96 |
| 50 - 90 | Kr. 12,10 | Kr. 121,00 |
| 100 - 240 | Kr. 11,639 | Kr. 116,39 |
| 250 + | Kr. 11,011 | Kr. 110,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2676
- Producentens varenummer:
- IRF9640STRRPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | IRF9640S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 500mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 44nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie IRF9640S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 500mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 44nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 6.8 A 200 V Forbedring TO-263, IRF9640S
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 6.8 A 100 V, TO-263
- Vishay Type P-Kanal 6.5 A 200 V Forbedring TO-263, IRF9630S
- onsemi Type P-Kanal 11.5 A 200 V Forbedring TO-263, QFET
- Vishay Type P-Kanal 2 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9620S
- Vishay Type P-Kanal 4 A 200 V Forbedring TO-263, SiHF9630S
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 6.8 A 100 V Forbedring TO-220, IRF