Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IRF9630S Nej
- RS-varenummer:
- 178-0865
- Producentens varenummer:
- IRF9630SPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 479,40
(ekskl. moms)
Kr. 599,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 9,588 | Kr. 479,40 |
| 100 - 200 | Kr. 8,15 | Kr. 407,50 |
| 250 + | Kr. 7,67 | Kr. 383,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0865
- Producentens varenummer:
- IRF9630SPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | IRF9630S | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 800mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -6.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 9.02 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie IRF9630S | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 800mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -6.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 9.02 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V til 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 6.5 A 200 V D2PAK (TO-263) IRF9630SPBF
- Vishay P-Kanal 11 A 200 V D2PAK (TO-263) IRF9640SPBF
- Vishay P-Kanal 6 3 ben, D2PAK (TO-263) IRF9640STRRPBF
- Vishay P-Kanal 6 3 ben, D2PAK (TO-263) IRF9640STRLPBF
- Vishay P-Kanal 4 A 200 V D2PAK (TO-263) SIHF9630STRL-GE3
- Vishay P-Kanal 2 A 200 V D2PAK (TO-263) SIHF9620S-GE3
- onsemi P-Kanal 11.5 A 200 V D2PAK (TO-263) FQB12P20TM
- onsemi P-Kanal 11 3 ben, D2PAK (TO-263) FQB12P20TM
