Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101 IPB80P04P407ATMA1
- RS-varenummer:
- 826-9487
- Producentens varenummer:
- IPB80P04P407ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 287,775
(ekskl. moms)
Kr. 359,725
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 325 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 11,511 | Kr. 287,78 |
| 50 - 100 | Kr. 10,936 | Kr. 273,40 |
| 125 - 225 | Kr. 10,474 | Kr. 261,85 |
| 250 - 475 | Kr. 10,015 | Kr. 250,38 |
| 500 + | Kr. 9,323 | Kr. 233,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9487
- Producentens varenummer:
- IPB80P04P407ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 68nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.25 mm | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 68nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.25 mm | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 80 A 40 V D2PAK (TO-263), OptiMOS P IPB80P04P407ATMA1
- Infineon P-Kanal 120 A 40 V D2PAK (TO-263), OptiMOS P IPB120P04P4L03ATMA1
- Infineon N-Kanal 80 A 80 V D2PAK (TO-263), OptiMOS™ 3 IPB054N08N3GATMA1
- Infineon N-Kanal 80 A 80 V D2PAK (TO-263), OptiMOS™ 5 IPB049N08N5ATMA1
- Infineon P-Kanal 80 A 30 V, D2PAK (TO-263) IPB80P03P4L04ATMA2
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V D2PAK (TO-263), OptiMOS™ IPB80N06S2L09ATMA2
- Infineon N-Kanal 80 A 55 V D2PAK (TO-263), OptiMOS™ IPB80N06S2H5ATMA2
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V D2PAK (TO-263), OptiMOS™ -T2 IPB80N06S4L05ATMA2
