Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 88 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 39,49

(ekskl. moms)

Kr. 49,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 712 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 39,49
10 - 24Kr. 35,53
25 - 49Kr. 33,59
50 - 99Kr. 31,12
100 +Kr. 28,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
754-5434
Producentens varenummer:
IPB107N20N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

88A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links