Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 827-0002
- Producentens varenummer:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 500 enheder)*
Kr. 291,50
(ekskl. moms)
Kr. 364,50
(inkl. moms)
Tilføj 1000 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 15.500 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | Kr. 0,583 | Kr. 291,50 |
| 1000 - 2000 | Kr. 0,554 | Kr. 277,00 |
| 2500 - 4500 | Kr. 0,499 | Kr. 249,50 |
| 5000 + | Kr. 0,496 | Kr. 248,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-0002
- Producentens varenummer:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.96V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.96V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ Dual MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret 950 mA 20 V Forbedring SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.5 A 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.4 A 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 310 mA 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Nexperia 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101