Infineon 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 500 enheder)*

Kr. 402,00

(ekskl. moms)

Kr. 502,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 12.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
500 - 500Kr. 0,804Kr. 402,00
1000 - 2000Kr. 0,764Kr. 382,00
2500 - 4500Kr. 0,688Kr. 344,00
5000 +Kr. 0,684Kr. 342,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
827-0002
Producentens varenummer:
2N7002DWH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

SC-88

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

4Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.4nC

Gennemgangsspænding Vf

0.96V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.25mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2mm

Højde

0.8mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V drain source spænding, 4 Ω drain source modstand - 2N7002DWH6327XTSA1


Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til kobling med lavt strømforbrug i begrænsede enheder. Den fungerer i forbedringstilstand og kombinerer to elementer på en enkelt chip for at levere kompakt dual-die-switching, der er velegnet til biler og industrielle miljøer. Enheden er beregnet til anvendelser på kortniveau, der kræver beskeden strømhåndtering og kontrolleret on-modstand.

Egenskaber og fordele:


• 60 V drain-klassificering muliggør højere spændingskoblingsanvendelser
• 4 Ω maks. Rds reducerer ledningstab under tilstand
• 300 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter lavstrømsbelastninger
• 0.4 nC typisk gate-ladning muliggør hurtig og effektiv omskiftning
• 500 mW effekttab passer til laveffekts, termisk begrænset design
• Driftsområde fra -55 °C til 150 °C sikrer termisk modstandsdygtighed

Anvendelser


• Velegnet til mikrocontroller-drevet belastningsswitching
• Ideel til sammenkobling af sensorer i bilsystemer
• Anvendes sammen med afbalanceringskredsløb til batteristyring
• Kan bruges til små relæudskiftningsopgaver
• Velegnet til kompakt SMD-strømvejskontrol

Hvilken pakke og hvilket antal ben skal jeg forberede til printkortlayout?


Enheden leveres i en lille SC-88-pakke til overflademontering med seks ben, så puder og termisk aflastning skal passe til SC-88's bundareal.

Hvordan påvirker den dobbeltelementchip parallell drift?


To elementer på samme indsats muliggør kompakte dobbeltkanalsarrangementer uden ekstern tilpasning, men de samlede termiske grænser forbliver pr. pakke.

Hvilke grænser for port- og afløbsspænding skal overholdes?


Gate-source-spændingen må ikke overstige ±20 V, mens drain-source-spændingsgrænsen er 60 V for at undgå enhedsbelastning.

Hvilken fremadgående spænding kan forventes ved ledning?


En fremadgående spændingsmåling på ca. 0,96 V gælder under specificerede testbetingelser for relevante ledningsbaner.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.