Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101 BSS223PWH6327XTSA1
- RS-varenummer:
- 165-5861
- Producentens varenummer:
- BSS223PWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.224,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.530,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 9.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,408 | Kr. 1.224,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5861
- Producentens varenummer:
- BSS223PWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 310 mA maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 250 mW maksimal effektafledning - BSS223PWH6327XTSA1
Denne MOSFET fungerer som et afgørende element i elektroniske kredsløb, der fungerer som en switch eller forstærker i mange applikationer. Dens P-kanal-design og egenskaber i enhancement mode muliggør effektiv strømstyring i overflademonterede elektroniske systemer. Komponentens evne til at fungere ved høje temperaturer gør den velegnet til bilindustrien og industrielle applikationer, hvor ydeevne under ekstreme forhold er afgørende.
Egenskaber og fordele
• Forbedrer effektiviteten med lav tændingsmodstand på 1,2Ω
• Understøtter drift ved høje temperaturer op til 150 °C
• Giver robust ydeevne med en maksimal spænding på 20 V
• Velegnet til højhastighedsskift med minimal forsinkelse
• Opfylder AEC-Q101-standarderne for bilindustrien
• Leverer konsekvent drift med lave gate-ladningsegenskaber
Anvendelsesområder
• Kørselsbelastninger i bilindustrien
• Anvendes i batteristyringssystemer til elektriske køretøjer
• Implementeret i strømstyringskredsløb til forbrugerelektronik
• Anvendes i forstærkere til lyd og elektroniske enheder
• Anvendes i forskellige automatiseringssystemer, der kræver effektiv omskiftning
Hvad er den maksimale strøm, komponenten kan håndtere?
Den maksimale kontinuerlige drænstrøm, den kan håndtere, er 310 mA ved 25 °C, hvilket sikrer pålidelig drift under bestemte forhold.
Hvordan er denne komponent optimeret til miljøer med høje temperaturer?
Den er designet til at modstå driftstemperaturer på op til +150 °C, hvilket gør den velegnet til brug i udfordrende applikationer.
Hvilken type montering passer til denne transistor?
Denne komponent er beregnet til overflademontering, hvilket gør det lettere at integrere den i kompakte elektroniske systemer.
Overholder den nogen standarder for bilindustrien?
Ja, den er kvalificeret i henhold til AEC-Q101 og opfylder strenge standarder for pålidelighed i bilindustrien.
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 310 mA 20 V SOT-323, OptiMOS P AEC-Q101 BSS223PWH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 630 mA 20 V SOT-323 BSS209PWH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 150 mA 60 V SOT-323, SIPMOS® BSS84PWH6327XTSA1
- Nexperia N-Kanal 310 mA 60 V SOT-323 2N7002PW,115
- ROHM N-Kanal 310 mA 60 V SOT-323, BSS BSS138WAHZGT106
- Nexperia N-Kanal 310 mA 60 V SOT-323 2N7002BKW,115
- Infineon N-Kanal 1 3 ben OptiMOS™ BSS214NH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 1 3 ben OptiMOS™ BSS214NWH6327XTSA1
