Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-5861
Producentens varenummer:: BSS223PWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 918,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.146,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 29. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,306	Kr. 918,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5861
Producentens varenummer:: BSS223PWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	310mA
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	OptiMOS P
	Emballagetype	SC-70
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	2.1Ω
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	250mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.5nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-12V, +12V
	Gennemgangsspænding Vf	-1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	2mm
	Bredde	1.25mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	800μm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310mA
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie OptiMOS P
	Emballagetype SC-70
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 2.1Ω
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 250mW
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.5nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -12V, +12V
	Gennemgangsspænding Vf -1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 2mm
	Bredde 1.25mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 800μm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 310 mA maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 250 mW maksimal effektafledning - BSS223PWH6327XTSA1

Denne MOSFET fungerer som et afgørende element i elektroniske kredsløb, der fungerer som en switch eller forstærker i mange applikationer. Dens P-kanal-design og egenskaber i enhancement mode muliggør effektiv strømstyring i overflademonterede elektroniske systemer. Komponentens evne til at fungere ved høje temperaturer gør den velegnet til bilindustrien og industrielle applikationer, hvor ydeevne under ekstreme forhold er afgørende.

Egenskaber og fordele

• Forbedrer effektiviteten med lav tændingsmodstand på 1,2Ω

• Understøtter drift ved høje temperaturer op til 150 °C

• Giver robust ydeevne med en maksimal spænding på 20 V

• Velegnet til højhastighedsskift med minimal forsinkelse

• Opfylder AEC-Q101-standarderne for bilindustrien

• Leverer konsekvent drift med lave gate-ladningsegenskaber

Anvendelsesområder

• Kørselsbelastninger i bilindustrien

• Anvendes i batteristyringssystemer til elektriske køretøjer

• Implementeret i strømstyringskredsløb til forbrugerelektronik

• Anvendes i forstærkere til lyd og elektroniske enheder

• Anvendes i forskellige automatiseringssystemer, der kræver effektiv omskiftning

Hvad er den maksimale strøm, komponenten kan håndtere?

Den maksimale kontinuerlige drænstrøm, den kan håndtere, er 310 mA ved 25 °C, hvilket sikrer pålidelig drift under bestemte forhold.

Hvordan er denne komponent optimeret til miljøer med høje temperaturer?

Den er designet til at modstå driftstemperaturer på op til +150 °C, hvilket gør den velegnet til brug i udfordrende applikationer.

Hvilken type montering passer til denne transistor?

Denne komponent er beregnet til overflademontering, hvilket gør det lettere at integrere den i kompakte elektroniske systemer.

Overholder den nogen standarder for bilindustrien?

Ja, den er kvalificeret i henhold til AEC-Q101 og opfylder strenge standarder for pålidelighed i bilindustrien.

Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er

InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.

Enhancement mode

Avalanche nominel

Lav kobling og ledende effekttab

Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS

Standardpakker

OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.