Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.224,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.530,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,408Kr. 1.224,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5861
Producentens varenummer:
BSS223PWH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

310mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS P

Emballagetype

SC-70

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.1Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Effektafsættelse maks. Pd

250mW

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.25 mm

Højde

0.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS P Series MOSFET, 310 mA maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 250 mW maksimal effektafledning - BSS223PWH6327XTSA1


Denne MOSFET fungerer som et afgørende element i elektroniske kredsløb, der fungerer som en switch eller forstærker i mange applikationer. Dens P-kanal-design og egenskaber i enhancement mode muliggør effektiv strømstyring i overflademonterede elektroniske systemer. Komponentens evne til at fungere ved høje temperaturer gør den velegnet til bilindustrien og industrielle applikationer, hvor ydeevne under ekstreme forhold er afgørende.

Egenskaber og fordele


• Forbedrer effektiviteten med lav tændingsmodstand på 1,2Ω

• Understøtter drift ved høje temperaturer op til 150 °C

• Giver robust ydeevne med en maksimal spænding på 20 V

• Velegnet til højhastighedsskift med minimal forsinkelse

• Opfylder AEC-Q101-standarderne for bilindustrien

• Leverer konsekvent drift med lave gate-ladningsegenskaber

Anvendelsesområder


• Kørselsbelastninger i bilindustrien

• Anvendes i batteristyringssystemer til elektriske køretøjer

• Implementeret i strømstyringskredsløb til forbrugerelektronik

• Anvendes i forstærkere til lyd og elektroniske enheder

• Anvendes i forskellige automatiseringssystemer, der kræver effektiv omskiftning

Hvad er den maksimale strøm, komponenten kan håndtere?


Den maksimale kontinuerlige drænstrøm, den kan håndtere, er 310 mA ved 25 °C, hvilket sikrer pålidelig drift under bestemte forhold.

Hvordan er denne komponent optimeret til miljøer med høje temperaturer?


Den er designet til at modstå driftstemperaturer på op til +150 °C, hvilket gør den velegnet til brug i udfordrende applikationer.

Hvilken type montering passer til denne transistor?


Denne komponent er beregnet til overflademontering, hvilket gør det lettere at integrere den i kompakte elektroniske systemer.

Overholder den nogen standarder for bilindustrien?


Ja, den er kvalificeret i henhold til AEC-Q101 og opfylder strenge standarder for pålidelighed i bilindustrien.

Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er


InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.

Enhancement mode

Avalanche nominel

Lav kobling og ledende effekttab

Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS

Standardpakker

OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links