Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 826-9945
Producentens varenummer:: BSS84PWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 500 enheder)*

Kr. 351,00

(ekskl. moms)

Kr. 439,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 29. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
500 +	Kr. 0,702	Kr. 351,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 826-9945
Producentens varenummer:: BSS84PWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	150mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SC-70
	Serie	SIPMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	25Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1.12V
	Effektafsættelse maks. Pd	300mW
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	800μm
	Længde	2mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.25mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SC-70
	Serie SIPMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 25Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1.12V
	Effektafsættelse maks. Pd 300mW
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 800μm
	Længde 2mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.25mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 150 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS84PWH6327XTSA1

Denne MOSFET er en P-kanalforbedringsenhed, der er designet til kompakte overflademonterede anvendelser i biler og industrielle sammenhænge. Den styrer og skifter små strømme ved moderate spændinger, mens den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele:

• 60 V drain-klassificering muliggør koblingskapacitet ved moderat spænding
• 150 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med lavt strømforbrug
• 25 Ω maks. Rds reducerer tab ved omskiftning af let belastning
• 300 mW effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible gate-drivniveauer
• 1 nC typisk gate-ladning giver hurtig, lavenergi-switching

Anvendelser

• Velegnet til belastningsswitching i bilstyringsmoduler
• Ideel til niveauskiftning i sensorinterface-kredsløb
• Anvendes sammen med batteristyring til lavstrømsveje
• Kan bruges til beskyttelsesswitching i telematiske enheder
• Velegnet til kompakte strømveje til forbrugerelektronik

Hvilket miljøområde kan den tolerere i implementerede systemer?

Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C og dækker udvidet koldstart og høje temperaturer under kappen.

Hvilken pakke passer til printkortlayouter med høj tæthed?

Den leveres i en SC-70 3-benet pakke til overflademontering, der måler et fodaftryk på 1,25 x 2 mm for snæver komponentafstand.

Hvordan påvirker gate-opladningen drevkravene?

Med en typisk Qg på 1 nC kan standard lavstrømsdrivere skifte den hurtigt med minimalt energiforbrug.

Er den kompatibel med standarder for pålidelighed i biler?

Den opfylder AEC-Q101-kvalifikationen, der er velegnet til mange køretøjselektroniske undersystemer.