Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 145-8835
- Producentens varenummer:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 993,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.242,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,331 | Kr. 993,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,314 | Kr. 942,00 |
| 15000 + | Kr. 0,294 | Kr. 882,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8835
- Producentens varenummer:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.25mm | |
| Højde | 800μm | |
| Længde | 2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.25mm | ||
Højde 800μm | ||
Længde 2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 150 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS84PWH6327XTSA1
Denne MOSFET er en P-kanalforbedringsenhed, der er designet til kompakte overflademonterede anvendelser i biler og industrielle sammenhænge. Den styrer og skifter små strømme ved moderate spændinger, mens den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer.
Egenskaber og fordele:
• 60 V drain-klassificering muliggør koblingskapacitet ved moderat spænding
• 150 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med lavt strømforbrug
• 25 Ω maks. Rds reducerer tab ved omskiftning af let belastning
• 300 mW effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible gate-drivniveauer
• 1 nC typisk gate-ladning giver hurtig, lavenergi-switching
• 150 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kredsløb med lavt strømforbrug
• 25 Ω maks. Rds reducerer tab ved omskiftning af let belastning
• 300 mW effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible gate-drivniveauer
• 1 nC typisk gate-ladning giver hurtig, lavenergi-switching
Anvendelser
• Velegnet til belastningsswitching i bilstyringsmoduler
• Ideel til niveauskiftning i sensorinterface-kredsløb
• Anvendes sammen med batteristyring til lavstrømsveje
• Kan bruges til beskyttelsesswitching i telematiske enheder
• Velegnet til kompakte strømveje til forbrugerelektronik
• Ideel til niveauskiftning i sensorinterface-kredsløb
• Anvendes sammen med batteristyring til lavstrømsveje
• Kan bruges til beskyttelsesswitching i telematiske enheder
• Velegnet til kompakte strømveje til forbrugerelektronik
Hvilket miljøområde kan den tolerere i implementerede systemer?
Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C og dækker udvidet koldstart og høje temperaturer under kappen.
Hvilken pakke passer til printkortlayouter med høj tæthed?
Den leveres i en SC-70 3-benet pakke til overflademontering, der måler et fodaftryk på 1,25 x 2 mm for snæver komponentafstand.
Hvordan påvirker gate-opladningen drevkravene?
Med en typisk Qg på 1 nC kan standard lavstrømsdrivere skifte den hurtigt med minimalt energiforbrug.
Er den kompatibel med standarder for pålidelighed i biler?
Den opfylder AEC-Q101-kvalifikationen, der er velegnet til mange køretøjselektroniske undersystemer.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 310 mA 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 620 mA 60 V Forbedring SC-59, SIPMOS
- Infineon Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101