Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 8.8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 911-4824
- Producentens varenummer:
- SPD08P06PGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*
Kr. 5.262,50
(ekskl. moms)
Kr. 6.577,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Sidste 2.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 2,105 | Kr. 5.262,50 |
| 5000 + | Kr. 2,00 | Kr. 5.000,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-4824
- Producentens varenummer:
- SPD08P06PGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.55V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.55V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 8,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 42W maksimal effektafledning - SPD08P06PGBTMA1
Denne MOSFET er designet til applikationer, der kræver effektiv kobling og kontrol. Den kan håndtere kontinuerlige drain-strømme på 8,8 A og en drain-source-spænding på 60 V, hvilket er velegnet til forskellige elektroniske kredsløb. Enheden fungerer effektivt inden for et bredt temperaturområde, hvilket forbedrer ydeevnen i udfordrende miljøer.
Egenskaber og fordele
• Enhanced mode-drift sikrer effektiv skifteydelse
• Høj strømkapacitet passer til stærke elektroniske applikationer
• Lav Rds(on) minimerer energitab under drift
• Udnytter DPAK-pakken til effektiv overflademontering
Anvendelsesområder
• Anvendes i elektroniske styringer til biler for høj pålidelighed
• Ideel til strømstyringssystemer i industrielt udstyr
• Velegnet til batteristyringssystemer i elektriske køretøjer
• Anvendes i inverterteknologi til vedvarende energisystemer
• Bruges i elektroniske omskiftere til forbrugerprodukter
Hvad er konsekvenserne af at bruge en P-kanal-konfiguration?
P-kanal-konfigurationer gør det nemt at integrere i high-side switch-applikationer og giver praktisk kontrol i kredsløb.
Hvordan påvirker den termiske ydeevne levetiden?
Evnen til at arbejde ved op til +175 °C øger pålideligheden og bidrager til en længere levetid i barske miljøer.
Hvad er betydningen af AEC-Q101-kvalifikationen?
Denne kvalifikation bekræfter, at den er velegnet til bilindustrien og lever op til strenge standarder for pålidelighed og sikkerhed.
Kan den bruges sammen med andre MOSFET'er?
Ja, den kan integreres med andre komponenter for at skabe komplementære kredsløb til effektive multi-switching-applikationer.
Hvilke faktorer påvirker strømforbruget i denne enhed?
De vigtigste faktorer er omgivelsestemperatur, afløbsstrøm og arbejdscyklus under drift, som alle påvirker den samlede termiske ydeevne.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 9.7 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101