Infineon P-Kanal, MOSFET, 8,83 A 60 V, 3 ben, DPAK (TO-252), SIPMOS® SPD08P06PGBTMA1

RS-varenummer:: 911-4824
Producentens varenummer:: SPD08P06PGBTMA1
Brand:: Infineon

Infineon P-Kanal, MOSFET, 8,83 A 60 V, 3 ben, DPAK (TO-252), SIPMOS® SPD08P06PGBTMA1

Pris Pr. stk. (på Rulle á 2500)**

Kr. 1,636

(ekskl. moms)

Kr. 2,045

(inkl. moms)

2500 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
2500 +	Kr. 1,636	Kr. 4.090,00

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 911-4824
Producentens varenummer:: SPD08P06PGBTMA1
Brand:: Infineon

Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er

Infineon SIPMOS^® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.

· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 8,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 42W maksimal effektafledning - SPD08P06PGBTMA1

Denne MOSFET er designet til applikationer, der kræver effektiv kobling og kontrol. Den kan håndtere kontinuerlige drain-strømme på 8,8 A og en drain-source-spænding på 60 V, hvilket er velegnet til forskellige elektroniske kredsløb. Enheden fungerer effektivt inden for et bredt temperaturområde, hvilket forbedrer ydeevnen i udfordrende miljøer.

Egenskaber og fordele

• Enhanced mode-drift sikrer effektiv skifteydelse
• Høj strømkapacitet passer til stærke elektroniske applikationer
• Lav Rds(on) minimerer energitab under drift
• Udnytter DPAK-pakken til effektiv overflademontering

Anvendelsesområder

• Anvendes i elektroniske styringer til biler for høj pålidelighed
• Ideel til strømstyringssystemer i industrielt udstyr
• Velegnet til batteristyringssystemer i elektriske køretøjer
• Anvendes i inverterteknologi til vedvarende energisystemer
• Bruges i elektroniske omskiftere til forbrugerprodukter

Hvad er konsekvenserne af at bruge en P-kanal-konfiguration?

P-kanal-konfigurationer gør det nemt at integrere i high-side switch-applikationer og giver praktisk kontrol i kredsløb.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne levetiden?

Evnen til at arbejde ved op til +175 °C øger pålideligheden og bidrager til en længere levetid i barske miljøer.

Hvad er betydningen af AEC-Q101-kvalifikationen?

Denne kvalifikation bekræfter, at den er velegnet til bilindustrien og lever op til strenge standarder for pålidelighed og sikkerhed.

Kan den bruges sammen med andre MOSFET'er?

Ja, den kan integreres med andre komponenter for at skabe komplementære kredsløb til effektive multi-switching-applikationer.

Hvilke faktorer påvirker strømforbruget i denne enhed?

De vigtigste faktorer er omgivelsestemperatur, afløbsstrøm og arbejdscyklus under drift, som alle påvirker den samlede termiske ydeevne.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	8,83 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	DPAK (TO-252)
Serie	SIPMOS®
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	300 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2.1V
Effektafsættelse maks.	42 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk	10 nC ved 10 V
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Længde	6.5mm
Bredde	6.22mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	2.3mm