Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 8.8 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SIPMOS AEC-Q101 SPD08P06PGBTMA1
- RS-varenummer:
- 462-3247
- Producentens varenummer:
- SPD08P06PGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 44,81
(ekskl. moms)
Kr. 56,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 4.100 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,481 | Kr. 44,81 |
| 100 - 240 | Kr. 4,256 | Kr. 42,56 |
| 250 - 490 | Kr. 4,084 | Kr. 40,84 |
| 500 - 990 | Kr. 3,897 | Kr. 38,97 |
| 1000 + | Kr. 3,628 | Kr. 36,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 462-3247
- Producentens varenummer:
- SPD08P06PGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 300mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.55V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 300mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.55V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 8,8A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 42W maksimal effektafledning - SPD08P06PGBTMA1
Denne MOSFET er designet til applikationer, der kræver effektiv kobling og kontrol. Den kan håndtere kontinuerlige drain-strømme på 8,8 A og en drain-source-spænding på 60 V, hvilket er velegnet til forskellige elektroniske kredsløb. Enheden fungerer effektivt inden for et bredt temperaturområde, hvilket forbedrer ydeevnen i udfordrende miljøer.
Egenskaber og fordele
• Enhanced mode-drift sikrer effektiv skifteydelse
• Høj strømkapacitet passer til stærke elektroniske applikationer
• Lav Rds(on) minimerer energitab under drift
• Udnytter DPAK-pakken til effektiv overflademontering
Anvendelsesområder
• Anvendes i elektroniske styringer til biler for høj pålidelighed
• Ideel til strømstyringssystemer i industrielt udstyr
• Velegnet til batteristyringssystemer i elektriske køretøjer
• Anvendes i inverterteknologi til vedvarende energisystemer
• Bruges i elektroniske omskiftere til forbrugerprodukter
Hvad er konsekvenserne af at bruge en P-kanal-konfiguration?
P-kanal-konfigurationer gør det nemt at integrere i high-side switch-applikationer og giver praktisk kontrol i kredsløb.
Hvordan påvirker den termiske ydeevne levetiden?
Evnen til at arbejde ved op til +175 °C øger pålideligheden og bidrager til en længere levetid i barske miljøer.
Hvad er betydningen af AEC-Q101-kvalifikationen?
Denne kvalifikation bekræfter, at den er velegnet til bilindustrien og lever op til strenge standarder for pålidelighed og sikkerhed.
Kan den bruges sammen med andre MOSFET'er?
Ja, den kan integreres med andre komponenter for at skabe komplementære kredsløb til effektive multi-switching-applikationer.
Hvilke faktorer påvirker strømforbruget i denne enhed?
De vigtigste faktorer er omgivelsestemperatur, afløbsstrøm og arbejdscyklus under drift, som alle påvirker den samlede termiske ydeevne.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 8 3 ben SIPMOS® SPD08P06PGBTMA1
- Infineon P-Kanal 9 3 ben SIPMOS® SPD09P06PLGBTMA1
- Infineon P-Kanal 30 A 60 V DPAK (TO-252), SIPMOS® SPD30P06PGBTMA1
- Infineon P-Kanal 360 mA 100 V SC-59, SIPMOS® AEC-Q101 BSR316PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 140 mA 250 V SC-59, SIPMOS® AEC-Q101 BSR92PH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 1 3 ben SIPMOS® AEC-Q101 BSP171PH6327XTSA1
- Vishay P-Kanal 8 DPAK (TO-252) IRFR9024PBF
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP89H6327XTSA1
