Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 9.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 826-9074
- Producentens varenummer:
- SPD09P06PLGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 260,75
(ekskl. moms)
Kr. 325,95
(inkl. moms)
Tilføj 100 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 5,215 | Kr. 260,75 |
| 250 - 950 | Kr. 3,348 | Kr. 167,40 |
| 1000 - 2450 | Kr. 2,655 | Kr. 132,75 |
| 2500 + | Kr. 2,316 | Kr. 115,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9074
- Producentens varenummer:
- SPD09P06PLGBTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 9.7 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring TO-220, SIPMOS AEC-Q101