Infineon N-Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-5731
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10000 enheder, på en rulle med 10000)*
Kr. 3.980,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.980,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 10000 - 10000 | Kr. 0,398 | Kr. 3.980,00 |
| 20000 - 20000 | Kr. 0,387 | Kr. 3.870,00 |
| 30000 + | Kr. 0,378 | Kr. 3.780,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5731
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 850mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2mm | |
| Bredde | 1.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 800μm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 850mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2mm | ||
Bredde 1.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 800μm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 280 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 620 mA 60 V Forbedring SC-59, SIPMOS
- Infineon N-Kanal 1.5 A 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.4 A 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 310 mA 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101