Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, SIPMOS AEC-Q101 BSS138WH6433XTMA1
- RS-varenummer:
- 165-5731
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 10000 enheder)*
Kr. 3.570,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.460,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 10000 - 10000 | Kr. 0,357 | Kr. 3.570,00 |
| 20000 - 20000 | Kr. 0,34 | Kr. 3.400,00 |
| 30000 + | Kr. 0,318 | Kr. 3.180,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-5731
- Producentens varenummer:
- BSS138WH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 280mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.25 mm | |
| Længde | 2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 280mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.25 mm | ||
Længde 2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 280 mA 60 V SOT-323, SIPMOS® BSS138WH6433XTMA1
- Infineon P-Kanal 150 mA 60 V SOT-323, SIPMOS® BSS84PWH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 170 mA 400 V SOT-223, SIPMOS® BSP324H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS7728NH6327XTSA2
- Infineon P-Kanal 260 mA 250 V SOT-223, SIPMOS® BSP92PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS138NH6327XTSA2
