Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 166-0980
- Producentens varenummer:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.266,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.584,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 30.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,422 | Kr. 1.266,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,401 | Kr. 1.203,00 |
| 15000 + | Kr. 0,375 | Kr. 1.125,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-0980
- Producentens varenummer:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 240mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 240mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET serien
Infineons OptiMOS™2 N-kanal-serie har branchens laveste modstand i ledetilstand inden for deres spændingsgruppe. Power MOSFET serien kan bruges til mange formål herunder højfrekvent telekommunikation, datakommunikation, solceller, lavvolts-drev og server-strømforsyninger. OptiMOS 2 produktserien dækker fra 20 V og derover samt har et udvalg af forskellige hustyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 1.4 A 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.5 A 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 310 mA 20 V Forbedring SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.4 A 30 V Forbedring SOT-23, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret 300 mA 60 V Forbedring SC-88, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Isoleret 950 mA 20 V Forbedring SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101