Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.266,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.584,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,422Kr. 1.266,00
6000 - 12000Kr. 0,401Kr. 1.203,00
15000 +Kr. 0,375Kr. 1.125,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-0980
Producentens varenummer:
BSS816NWH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Emballagetype

SC-70

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

240mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.6nC

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

-8V, +8V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

1.25mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2mm

Højde

800μm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS 2 seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS816NWH6327XTSA1


Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til lavspændingsswitching i biler og industrielle elektroniske systemer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves et lille fodaftryk og beskeden effekthåndtering.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding på 240 mΩ reducerer ledningstab og varme
• Maksimal afløbsstrøm på 1,4 A muliggør omskiftning af moderat belastning
• Drain-source mærkespænding 20 V understøtter typiske bilskinner
• Gate-ladning 0,6 nC giver mulighed for hurtigere gate-drev og reduceret koblingstab
• Effekttab på 500 mW muliggør vedvarende drift under let belastning
• Gate-source-grænse 8 V beskytter mod for store drivspændinger

Anvendelser


• Velegnet til omskiftertrin i sensormoduler til biler
• Ideel til belastningsswitching i 12 V hjælpekredsløb
• Anvendes sammen med perifere enheder til batteristyring, der kræver et lille fodaftryk
• Kan bruges til styring af signalniveauet i infotainment-systemer
• Kan anvendes til kompakte motorstyringsporttrin til lave strømme

Hvilken pakke passer til kortlayouter med høj tæthed?


Den leveres i en SC-70-pakke til overflademontering, der minimerer kortområdet og understøtter automatiseret placering.

Hvordan fungerer den ved høje omgivelsestemperaturer?


Enheden er specificeret til drift fra -40 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer, der er typiske for under kappen i biler.

Hvilket driftsspændingsområde skal anvendes på porten?


Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 8 V, så der bør vælges gate-drivere, så de forbliver inden for denne grænse.

Hvordan balancerer enheden skiftehastighed og gate-drevenergi?


Med en typisk gate-ladning på 0,6 nC kræver den relativt lav energi til at skifte, hvilket bidrager til effektivitet i systemer med gentagne overgange.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.