Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101

RS-varenummer:: 110-7113
Producentens varenummer:: BSS816NWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.4 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS 2 AEC-Q101

Indhold (300 enheder, i en pakke med 300)*

Kr. 142,20

(ekskl. moms)

Kr. 177,60

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

30.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
300 +	Kr. 0,474	Kr. 142,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 110-7113
Producentens varenummer:: BSS816NWH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.4A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SC-70
	Serie	OptiMOS 2
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	240mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Portkildespænding maks.	-8V, +8V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.6nC
	Min. driftstemperatur	-40°C
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	2mm
	Bredde	1.25mm
	Højde	800μm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.4A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SC-70
	Serie OptiMOS 2
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 240mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Portkildespænding maks. -8V, +8V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC
	Min. driftstemperatur -40°C
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 2mm
	Bredde 1.25mm
	Højde 800μm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS816NWH6327XTSA1

Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til lavspændingsswitching i biler og industrielle elektroniske systemer. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves et lille fodaftryk og beskeden effekthåndtering.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 240 mΩ reducerer ledningstab og varme
• Maksimal afløbsstrøm på 1,4 A muliggør omskiftning af moderat belastning
• Drain-source mærkespænding 20 V understøtter typiske bilskinner
• Gate-ladning 0,6 nC giver mulighed for hurtigere gate-drev og reduceret koblingstab
• Effekttab på 500 mW muliggør vedvarende drift under let belastning
• Gate-source-grænse 8 V beskytter mod for store drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til omskiftertrin i sensormoduler til biler
• Ideel til belastningsswitching i 12 V hjælpekredsløb
• Anvendes sammen med perifere enheder til batteristyring, der kræver et lille fodaftryk
• Kan bruges til styring af signalniveauet i infotainment-systemer
• Kan anvendes til kompakte motorstyringsporttrin til lave strømme

Hvilken pakke passer til kortlayouter med høj tæthed?

Den leveres i en SC-70-pakke til overflademontering, der minimerer kortområdet og understøtter automatiseret placering.

Hvordan fungerer den ved høje omgivelsestemperaturer?

Enheden er specificeret til drift fra -40 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer, der er typiske for under kappen i biler.

Hvilket driftsspændingsområde skal anvendes på porten?

Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 8 V, så der bør vælges gate-drivere, så de forbliver inden for denne grænse.

Hvordan balancerer enheden skiftehastighed og gate-drevenergi?

Med en typisk gate-ladning på 0,6 nC kræver den relativt lav energi til at skifte, hvilket bidrager til effektivitet i systemer med gentagne overgange.