Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

RS-varenummer:: 165-5865
Producentens varenummer:: BSS214NH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.355,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.943,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. maj 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,785	Kr. 2.355,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5865
Producentens varenummer:: BSS214NH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.5A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SC-70
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	250mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.8nC
	Portkildespænding maks.	-12V, +12V
	Gennemgangsspænding Vf	800mV
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	800μm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.25mm
	Længde	2mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SC-70
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 250mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.8nC
	Portkildespænding maks. -12V, +12V
	Gennemgangsspænding Vf 800mV
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 800μm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.25mm
	Længde 2mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS214NH6327XTSA1

Denne n-kanals MOSFET er en kompakt overflademonteret kontakt, der er designet til lavspændingselektronik og biler. Den fungerer som en forstærkningstransistor til styring af strøm i strømstyrings- og signalskiftningskredsløb, samtidig med at den kan modstå et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele:

• Lav drain-source-modstand på 250 mΩ reducerer ledningstab
• Maksimal afløbsstrøm på 1,5 A understøtter moderate belastningsstrømme
• Maksimal drain-source-spænding 20 V muliggør lavspændingstrin
• Typisk gate-ladning på 0,8 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• Maks. effekttab på 500 mW styrer termisk belastning i små fodaftryk
• Maksimal gate-source-spænding 12 V muliggør kompatibilitet med almindelige drevniveauer

Anvendelser

• Velegnet til switching på den lave side af DC-DC-konverter
• Ideel til strømfordeling i bilelektronik
• Anvendes sammen med gate-drivere, der kræver hurtig koblingsrespons
• Kan bruges til belastningsswitching på kompakte printkort
• Velegnet til strømstyring af batteridrevne enheder

Hvilke driftstemperaturer kan den modstå under barske forhold?

Den fungerer i et bredt område fra -55 °C op til 150 °C for høj temperaturstabilitet.

Hvordan påvirker pakken kortpopulationen og samlingen?

SC-70-pakken til overflademontering muliggør tætte printkortlayouts og automatiseret pick-and-place-samling.

Hvilken elektrisk grænse skal designere overholde for gate-driver?

Må ikke overskride en gate-kilde-spænding på 12 V for at undgå at beskadige gate-oxidet.

Hvor meget lodret plads skal en designer tillade afstand til komponenter?

Tillader en komponenthøjde på 0,8 mm ved planlægning af kabinetter og stabling.