Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Få rabat ved storkøb

Tilføj 500 flere for at gemme 2%

Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 250 enheder)*

Kr. 407,00

(ekskl. moms)

Kr. 508,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
Besparelse
250 - 250Kr. 1,628Kr. 407,00-
500 - 1000Kr. 1,584Kr. 396,002%
1250 - 2250Kr. 1,543Kr. 385,755%
2500 - 6000Kr. 1,504Kr. 376,007%
6250 +Kr. 1,466Kr. 366,509%

*Vejledende pris

RS-varenummer:
827-0058
Producentens varenummer:
BSS214NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

SC-70

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.8nC

Portkildespænding maks.

-12V, +12V

Gennemgangsspænding Vf

800mV

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

800μm

Bredde

1.25mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS214NH6327XTSA1


Denne n-kanals MOSFET er en kompakt overflademonteret kontakt, der er designet til lavspændingselektronik og biler. Den fungerer som en forstærkningstransistor til styring af strøm i strømstyrings- og signalskiftningskredsløb, samtidig med at den kan modstå et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer.

Egenskaber og fordele:


• Lav drain-source-modstand på 250 mΩ reducerer ledningstab
• Maksimal afløbsstrøm på 1,5 A understøtter moderate belastningsstrømme
• Maksimal drain-source-spænding 20 V muliggør lavspændingstrin
• Typisk gate-ladning på 0,8 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• Maks. effekttab på 500 mW styrer termisk belastning i små fodaftryk
• Maksimal gate-source-spænding 12 V muliggør kompatibilitet med almindelige drevniveauer

Anvendelser


• Velegnet til switching på den lave side af DC-DC-konverter
• Ideel til strømfordeling i bilelektronik
• Anvendes sammen med gate-drivere, der kræver hurtig koblingsrespons
• Kan bruges til belastningsswitching på kompakte printkort
• Velegnet til strømstyring af batteridrevne enheder

Hvilke driftstemperaturer kan den modstå under barske forhold?


Den fungerer i et bredt område fra -55 °C op til 150 °C for høj temperaturstabilitet.

Hvordan påvirker pakken kortpopulationen og samlingen?


SC-70-pakken til overflademontering muliggør tætte printkortlayouts og automatiseret pick-and-place-samling.

Hvilken elektrisk grænse skal designere overholde for gate-driver?


Må ikke overskride en gate-kilde-spænding på 12 V for at undgå at beskadige gate-oxidet.

Hvor meget lodret plads skal en designer tillade afstand til komponenter?


Tillader en komponenthøjde på 0,8 mm ved planlægning af kabinetter og stabling.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.