Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101 IPD70N12S311ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 86,89

(ekskl. moms)

Kr. 108,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 19.620 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 8,689Kr. 86,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4390
Producentens varenummer:
IPD70N12S311ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.65mm

Højde

2.35mm

Bredde

6.42 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS MOSFET er velegnet til brug i biler, og den er 100 % Avalanche-testet.

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links