Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101 IPD70N12S311ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 86,89

(ekskl. moms)

Kr. 108,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 19.620 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 8,689Kr. 86,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4390
Producentens varenummer:
IPD70N12S311ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

6.42 mm

Længde

6.65mm

Højde

2.35mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS MOSFET er velegnet til brug i biler, og den er 100 % Avalanche-testet.

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links