Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P Nej IPD042P03L3GATMA1
- RS-varenummer:
- 825-9051
- Producentens varenummer:
- IPD042P03L3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 87,22
(ekskl. moms)
Kr. 109,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 1.790 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,722 | Kr. 87,22 |
| 50 - 90 | Kr. 7,239 | Kr. 72,39 |
| 100 - 240 | Kr. 6,803 | Kr. 68,03 |
| 250 - 490 | Kr. 6,463 | Kr. 64,63 |
| 500 + | Kr. 6,201 | Kr. 62,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 825-9051
- Producentens varenummer:
- IPD042P03L3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 131nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 5.97 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 131nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 5.97 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 70 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD042P03L3GATMA1
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P04P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V DPAK (TO-252), OptiMOS™-T IPD70N12S311ATMA1
- Infineon P-Kanal 85 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD85P04P4L06ATMA2
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon P-Kanal 70 A 40 V TO-252, OptiMOS™ IPD70P04P4L08ATMA2
