Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P
- RS-varenummer:
- 825-9051
- Producentens varenummer:
- IPD042P03L3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 103,22
(ekskl. moms)
Kr. 129,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.790 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 10,322 | Kr. 103,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 825-9051
- Producentens varenummer:
- IPD042P03L3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 131nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.97mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 131nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.97mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 70 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD042P03L3GATMA1
Denne MOSFET er en P-kanal-forstærket effekttransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves høj strømstyrke og et robust termisk driftsområde. Den fungerer som en højtydende koblingsenhed i strømkonverterings- og belastningsstyringskredsløb, hvilket giver lavt ledningstab og kontrolleret gate-drive-adfærd til krævende elektroniske systemer.
Egenskaber og fordele:
• 6,8 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab for forbedret effektivitet
• 70 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter omskiftning af kraftig belastning
• 150 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 131 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C muliggør anvendelse ved høje temperaturer
• VGS ±20 V mærkeværdi sikrer fleksibilitet i gate-drevspænding
• 70 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter omskiftning af kraftig belastning
• 150 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 131 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C muliggør anvendelse ved høje temperaturer
• VGS ±20 V mærkeværdi sikrer fleksibilitet i gate-drevspænding
Anvendelser
• Velegnet til synkron ensretning i DC-DC-omformere
• Ideel til skift af højstrømsbelastning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver lav ledningsmodstand
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler med høj tæthed
• Ideel til skift af højstrømsbelastning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver lav ledningsmodstand
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler med høj tæthed
Hvilken hustype skal jeg forvente med hensyn til printkortlayout?
Enheden leveres i en TO-252-pakke til overflademontering med tre ben, hvilket muliggør kompakt kortplacering og ruting med termisk pad.
Hvordan håndterer enheden gate-drivspændinger under drift?
Den maksimale gate-source-spænding er ±20 V, så gate-drivere skal specificeres inden for denne grænse for at undgå overbelastning.
Hvad er den maksimale spænding, som denne transistor kan blokere?
Den er mærket til en maksimal drain-source-spænding på 30 V, hvilket definerer dens egnethed til lavspændingssystemer.
Er der begrænsninger for fremadgående spænding under ledning?
Den typiske fremadgående spænding er -1,1 V, hvilket påvirker beregninger af ledningstab i kredsløbsdesign.