Infineon Type P-Kanal, Effekttransistor, 50 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q IPD50P04P413ATMA1
- RS-varenummer:
- 826-9109
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 182,95
(ekskl. moms)
Kr. 228,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 14.725 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 7,318 | Kr. 182,95 |
| 50 - 100 | Kr. 5,709 | Kr. 142,73 |
| 125 - 225 | Kr. 5,344 | Kr. 133,60 |
| 250 - 600 | Kr. 4,97 | Kr. 124,25 |
| 625 + | Kr. 4,611 | Kr. 115,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-9109
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q IPB120P04P4L03ATMA1
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS P AEC
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS P AEC IPP120P04P4L03AKSA1
- Infineon Type P-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS P Nej