Infineon Type P-Kanal, Effekttransistor, 90 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q IPD90P03P4L04ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 21,23

(ekskl. moms)

Kr. 26,54

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 1.210 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 4,246Kr. 21,23

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
753-3033
Producentens varenummer:
IPD90P03P4L04ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS P

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

137W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

125nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Længde

6.5mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q

Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er


InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.

Enhancement mode

Avalanche nominel

Lav kobling og ledende effekttab

Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS

Standardpakker

OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links